HBM4와 HBM4E는 이름이 비슷해 같은 제품으로 오해하기 쉽지만, 실제로는 세대 자체가 다른 고대역폭메모리(HBM)입니다. 어느 쪽이 더 앞서 있는지 궁금하실 텐데, 결론부터 말씀드리면 HBM4는 이미 양산·공급 중인 현세대 제품이고 HBM4E는 그다음 세대로 준비되는 후속 제품이며, 두 세대 모두에서 삼성전자와 SK하이닉스가 서로 다른 강점을 내세우며 경쟁하고 있어 한쪽이 전면적으로 앞선다고 단정하기는 어렵습니다. 이 글에서는 HBM4와 HBM4E의 차이, 두 회사의 기술 방식과 시장 점유율 전망을 정리했습니다.

■ HBM4와 HBM4E는 무엇이 다른가

HBM4는 엔비디아의 베라 루빈(Vera Rubin) 플랫폼에 필수로 탑재되는 현세대 고대역폭메모리로, 삼성전자 제품 기준 핀당 11.7Gbps, 최대 13Gbps 속도를 내며 기존 8Gbps 표준보다 약 46% 빠르고 대역폭은 3.3TB/s에 이르는 것으로 알려져 있습니다. HBM4E는 그다음 세대로, 핀당 최대 16Gbps까지 속도를 끌어올리고 HBM4보다 에너지 효율을 20% 이상 개선하는 것을 목표로 하며, 엔비디아의 베라 루빈 울트라에 탑재될 것으로 예상됩니다. 즉 HBM4는 지금 당장의 경쟁 제품이고, HBM4E는 내년 이후 공급을 겨냥한 다음 라운드의 경쟁 제품이라는 점에서 세대 자체가 다릅니다.

■ 두 회사의 기술 방식은 어떻게 다른가

삼성전자는 10나노급 6세대(1c) D램에 자체 4나노 파운드리로 만든 로직 다이를 결합해 설계부터 생산까지 한 번에 처리하는 턴키 방식을 쓰고 있습니다. 기술적으로는 앞서 있다는 평가를 받지만 수율 확보가 관건으로 꼽힙니다. SK하이닉스는 10나노급 5세대(1b) D램에 TSMC의 12나노 로직 다이를 결합하는 방식을 쓰는데, 수율과 비용 면에서 강점이 있고 엔비디아 시스템과의 호환성이 높다는 평가를 받지만 구조적으로 핀당 속도가 11.7Gbps 선에서 한계에 부딪힌다는 분석도 나옵니다. 마이크론은 SK하이닉스와 같은 1b D램에 TSMC 12나노 로직 다이를 결합하는 방식을 쓰고 있어, 사실상 삼성전자의 자체 턴키 방식과 SK하이닉스·마이크론의 TSMC 협업 방식으로 진영이 나뉘는 모습입니다.

■ HBM4 시장 점유율은 어떻게 전망되나

HBM3와 HBM3E 세대에서는 SK하이닉스가 엔비디아 등 주요 고객사에 먼저 공급하며 거의 독점에 가까운 지위를 유지했습니다. HBM4 세대에서는 이 구도에 변화가 예상되는데, 반도체 분석기관 세미애널리시스는 2026년 HBM4 점유율을 SK하이닉스 약 70%, 삼성전자 약 30%로 추정했고, KB증권은 삼성전자가 최대 40%까지 점유율을 끌어올릴 수 있다고 봤습니다. 삼성전자는 세계 최초로 HBM4 양산과 고객사 공급을 시작했다고 밝혔는데, 이는 당초 자체 계획보다 일주일 앞선 것이었다고 설명했습니다. 삼성전자는 이를 바탕으로 2026년 HBM 매출이 전년 대비 세 배로 늘어날 것으로 전망하고 있습니다.

■ HBM4E 샘플 공급 경쟁은 어떻게 진행되나

HBM4E 세대에서는 샘플 공급 시점을 놓고도 경쟁이 치열합니다. 삼성전자는 2026년 5월 12단 적층 HBM4E 샘플을 고객사에 공급했다고 밝혔는데, 이는 업계 최초이자 당초 목표였던 2026년 3분기보다 앞선 일정이었습니다. SK하이닉스도 12단 적층 HBM4E 샘플을 주요 고객사에 공급했다고 2026년 6월 18일 발표했는데, 지난 4월 실적 발표 때 하반기 공급을 계획한다고 밝혔던 것보다 일정을 앞당긴 결과였습니다. 두 회사 모두 당초 계획보다 일정을 앞당겨 발표했다는 점에서, HBM4E 세대 선점을 위한 속도 경쟁이 치열하게 벌어지고 있음을 보여줍니다.

■ HBM4E는 기술적으로 무엇이 달라지나

HBM4E는 속도 향상뿐 아니라 패키징과 발열 관리에서도 개선이 이뤄지고 있습니다. SK하이닉스의 HBM4E는 6세대(1c) D램을 적용하는 것으로 알려져 있는데, 이는 기존 HBM4에 쓰인 5세대(1b) D램보다 한 단계 앞선 공정입니다. 패키징 측면에서는 "어드밴스드 MR-MUF" 방식이 적용되고, 12단 적층 기준 48GB 용량을 구현하면서도 HBM4 대비 열저항을 약 17% 낮추는 것을 목표로 하는 것으로 전해집니다. 이러한 개선은 AI 서버가 고용량·고발열 환경에서 안정적으로 동작하도록 돕는다는 점에서, 속도 경쟁뿐 아니라 안정성 경쟁의 성격도 함께 갖고 있습니다.

구분 | HBM4(현세대) | HBM4E(차세대)

속도 | 핀당 최대 13Gbps(삼성 기준) | 핀당 최대 16Gbps 목표

적용 플랫폼 | 엔비디아 베라 루빈 | 엔비디아 베라 루빈 울트라(예상)

삼성전자 방식 | 1c D램 + 자체 4나노 로직(턴키) | 패키징·효율 개선판 준비

SK하이닉스 방식 | 1b D램 + TSMC 12나노 로직 | 1c D램 적용, MR-MUF 패키징

샘플 공급 시점 | 양산 공급 중(2026년) | 삼성 2026년 5월, SK하이닉스 2026년 6월 샘플 공급

자주 묻는 질문

Q1. HBM4와 HBM4E 중 어느 것이 더 최신 제품인가요?

A1. HBM4E가 더 다음 세대입니다. HBM4는 현재 양산·공급 중이고, HBM4E는 그 뒤를 잇는 차세대 제품으로 개발되고 있습니다.

Q2. HBM4 경쟁에서 누가 앞서 있나요?

A2. 세미애널리시스는 2026년 SK하이닉스 점유율을 약 70%로 추정했지만, KB증권은 삼성전자가 최대 40%까지 따라갈 수 있다고 봤습니다. 분석기관별로 전망이 다릅니다.

Q3. HBM4E 샘플은 누가 먼저 공급했나요?

A3. 삼성전자가 2026년 5월, SK하이닉스가 2026년 6월 18일 각각 12단 적층 HBM4E 샘플 공급을 발표했습니다. 두 회사 모두 당초 계획보다 일정을 앞당겼습니다.

HBM4와 HBM4E는 세대 자체가 다른 제품이며, 삼성전자와 SK하이닉스는 각각 턴키 방식과 TSMC 협업 방식이라는 서로 다른 기술 전략으로 경쟁하고 있습니다. 점유율 전망도 분석기관마다 달라 어느 한쪽이 확실히 앞선다고 단정하기보다는, 앞으로 나올 분기 실적과 고객사 공급 발표를 함께 지켜보는 것이 필요합니다. 이 글은 투자 참고용 정보이며 투자 판단과 책임은 투자자 본인에게 있습니다.

공식 확인 링크: 삼성전자 뉴스룸·SK하이닉스 뉴스룸 HBM4·HBM4E 관련 공식 발표 자료 참고 https://news.samsung.com/kr